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相位/强度调制器

2024/5/15

主要特点
· 高调制带宽      · 低半波电压      · 高损伤光功率     · 低插入损耗
应用方向
·光纤通信     · 量子保密通恼      · ROF系统     · 光纤传感
电光调制器系列产晶涵盖相位调制器和强度调制器两种主要类型,器件的晶体制备和耦合封装均已实现国产化。
铌酸锂高速相位调制器,由钛扩散或质子交换工艺制作波导,光纤与波导采用精密斜耦合实现较低的背向反射,具备高带宽和低半波电压特性。器件插入损耗<3dB,半波电压<3.5V,带宽高达40GHz。
铌酸锂高速强度调制器,采用马赫·曾德尔(Mach-Zehnder)结构,光纤与波导采用精密斜耦合实现较低的背向反射,具备高带宽、低半波电压和高开关消光比等特性。器件播入损耗<.5d8,半波电压<5V,带宽高达40GHz。

相位调制器性能参数

技术参数 技术指标
类型 300M      10G      40G
工作波长 1525~1565nm
插入损耗 ≤4dB      ≤3dB     ≤4dB
回波损耗 ≤-45dB 
工作带宽(-3dB) ≥300MHz    ≥10GHz   ≥28GHz
RF半波电压@50KHz ≤5V      ≤3.5V    ≤4V
RF端接口 SMA
输入光功率 ≤20dBm
输入射频功率 ≤28dBm
电回波损耗 ≤-10dBm
RF端输入阻抗 50Ω
光纤尾纤 SM/PM
光纤接口 FC/APC, FC/UPC, user to specify

强度调制器性能参数

技术参数 技术指标
类型 10G      40G
工作波长 1525~1565nm
插入损耗 ≤4.5dB     
回波损耗 ≤-45dB
开关消光比@DC ≥20dB
工作带宽(-3dB)  ≥10GHz   ≥28GHz
RF半波电压@50KHz ≤5V
RF端接口 K(f)  V(f)
输入光功率 ≤20dBm
输入射频功率 ≤28dBm
电回波损耗 ≤-10dBm
RF端输入阻抗 50Ω
光纤尾纤 SM/PM
光纤接口 FC/APC, FC/UPC, user to specify